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深圳市大芯超导有限公司  
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公司档案
公司名称： 深圳市大芯超导有限公司 公司类型： 企业单位 ()
所在地区： 广东/深圳市 公司规模：
注册资本： 未填写 注册年份： 2012
资料认证：
保  证  金： 已缴纳 ￥0.00 元
经营范围： CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代，Wolfspeed碳化硅SiC MOSFET国产替代，英飞凌碳化硅MOSFET模块国产替代，英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，IMZA120R040M1H国产替代，IMW120R040M1H国产替代，IMW120R045M1国产替代，C3M0075120D国产替代，C3M0160120D国产替代，C3M0040120K国产替代，I型NPC1三电平IGBT模块，T型NPC2三电平IGBT模块,英飞凌IGBT模块国产替
销售产品： 英飞凌IGBT单管国产替代，英飞凌混合IGBT单管国产替代，BGH50N65HF1，IKW50N65RH5国产替代，AIKW50N65RF5国产替代，IKW50N65SS5国产替代，英飞凌混合SiC-IGBT单管国产替代，BGH50N65ZF1，IKW50N65ET7国产替代，IKW50N65ES5国产替代，BGH75N65HF1，IKW75N65RH5国产替代，IKW75N65SS5国产替代，BGH75N65ZF1，IKW75N65ES5国产替代，IKW75N65ET7国产替代，BGH40N120HF，
采购产品： 光伏逆变器升压SiC碳化硅二极管，分立IGBT,混合IGBT模块,混合三电平SiC-IGBT模块,光伏逆变器SiC MOSFET，IGBT Hybrid Discrete，IGBT单管，混合IGBT单管，国产SiC MOSFET,SiC Power MOSFET,国产SiC MOSFET模块，SOT-227碳化硅肖特基二极管模块，混合SiC-IGBT模块，BASiC基本混合混合SiC-IGBT单管，分立碳化硅MOSFET，国产TO263-7碳化硅MOSFET，碳化硅（SiC）MOSFET，储能逆变器SiC
主营行业：
电工电器